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牛鬼蛇神是什么生肖 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消(xiāo)息。

  美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

  据网信办消息(xī),日前,网络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

  审查(chá)发现,美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患,对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险,影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此(cǐ),网络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规,我国内关键信息基(jī)础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

  此次对(duì)美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查,目的(de)是防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全(quán),是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开放,只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规要求,欢迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日(rì),中国(guó)网信网发文称(chēng),为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全,防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn),维护国(guó)家安全,依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》,网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》,对美光公司(Micron)在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

  半导体突(tū)发(fā)!中国出手(shǒu):停止(zhǐ)采(cǎi)购!

  美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头,也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一(yī),2022年收入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flas牛鬼蛇神是什么生肖h (闪存)市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76%,三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM (内存)市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司(sī)中(zhōng),江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

  美(měi)光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng),至少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年(nián)美(měi)光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商,采购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙(lóng)第一(yī)大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示,江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约,确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng),巩固公司在下游市场的供应优势,公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

  有券商此前(qián)就分析,如果美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制,或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì),国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

  分析(xī)称,长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生(shēng)产已(yǐ)牛鬼蛇神是什么生肖经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60:1的(de)深孔,未(wèi)来(lái)可能(néng)会(huì)更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽,催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露,薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为(wèi)75%。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加入(rù)美国限制名单,设(shè)备国产化进(jìn)程加(jiā)速(sù),看好拓荆(jīng)科技(薄(báo)膜沉积)等相关公司(sī)份额提(tí)升,以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等(děng)收(shōu)入增长(zhǎng)。

 

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