大家好，来看一则(zé)突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国(guó)关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)安(ān)全，是(shì)维护国家安(ān)全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平(p富士康漂亮女生一般分到哪里，富士康女生一般分到哪个岗位íng)台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披(pī)露(lù)过(guò)美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显(xiǎn)著下(xià)降，至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大(dà)和第(dì)三(sān)大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公(gōng)司(sī)在(zài)下游(yóu)市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相富士康漂亮女生一般分到哪里，富士康女生一般分到哪个岗位关公司份额(é)提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(m富士康漂亮女生一般分到哪里，富士康女生一般分到哪个岗位ěi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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