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　　美光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法对美光公司在(zài)华销售产品进行了(le)网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全(quán)的(de)必要(yào)措(cuò)施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础边际贡献的计算公式是什么呀设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(s边际贡献的计算公式是什么呀hōu)入增长(zhǎng)。

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