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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法对(duì)美光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)云南属于南方还是北方，云南属于南方还是北方人了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过(guò云南属于南方还是北方，云南属于南方还是北方人)美光等(děng)国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江(jiāng)波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在(zài)存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三(sān)星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入(rù)美国限制(zhì)名单，设(shè)备(bèi)国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升(shēng)，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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