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　　美光公司在华销瘦的女孩子是不是容易满足，为什么瘦人的紧呢售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)的运营者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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