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　　美(měi)光公司在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光(guāng)公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国(guó)内关(guān)键信息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平(píng)对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务(wù)进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安(ān)全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三(sān)大(dà)供应商(shāng)采购(gòu)金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存(cún)储(chǔ)产业链(liàn)上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优势文章中副标题的格式怎么写，文章中副标题的格式要求(shì)，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电(diàn)子披露(lù)，薄(báo)膜沉(chén)积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速，文章中副标题的格式怎么写，文章中副标题的格式要求看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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