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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施(shī)供应链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān吸潮是什么意思，弄瓦之喜什么意思)键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆供应吸潮是什么意思，弄瓦之喜什么意思商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第(dì)三(sān)大(dà)供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中(zhōng)国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎ吸潮是什么意思，弄瓦之喜什么意思n)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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