大家好，来看一则突(tū)发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前(qián)，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司产品存在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是(shì)防(fáng)范产品网络(luò)安(ān)全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　国家常务委员7人，国家常务委员7人简历alt="半(bàn)导(dǎo)体突(tū)发！中国出(chū)手：停止(zhǐ)采购(gòu)！" src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212185.png">

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露过国家常务委员7人，国家常务委员7人简历美光等(děng)国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位(wèi)列江波龙第一(yī)大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在(zài)存(cún)储产业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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