大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止(zhǐ)采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范(fàn)产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市(shì)场收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第(dì)一大(dà)、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保(bǎo)存(cún)储(c小兔子被蛇用两根WRITEAS，小兔子被蛇用两根做了hǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供(gōng)应优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受(shòu)益。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的孔或(huò)者(zhě)沟(gōu)槽，催(cuī)生(shēng)更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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