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　　<我国的全民国家教育日是哪一天 我国法定全民国教育日strong>美光公司在华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影我国的全民国家教育日是哪一天 我国法定全民国教育日响(xiǎng)我国国家安(ān)全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查(chá)，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安(ān)全问题(tí)危害(hài)国家关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络(luò)安全(quán)风险(xiǎn)，维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。我国的全民国家教育日是哪一天 我国法定全民国教育日>

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应(yīng)优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下(xià)游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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