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　　美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网槟榔戒一年脸会恢复吗，槟榔戒一年脸会恢复吗改套餐不能恢复以前套餐络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服(fú)务(wù)进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护(hù)国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三(sān)大(dà)供应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)槟榔戒一年脸会恢复吗，槟榔戒一年脸会恢复吗改套餐不能恢复以前套餐已经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可(kě)能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入(rù)美国限制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司(sī)份额(é)提升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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