大家(jiā)好，来看一则突发消(xiāokm是公里吗，1km等于多少公里)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未(wèi)通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必(bì)要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披露过(guò)美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显km是公里吗，1km等于多少公里示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部(bù)数(shù)据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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